Österreichische Physikalische Gesellschaft
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Forschungsgruppe "Festkörperelektronik, TU Wien"
(Ao.Univ.Prof. Dr. Dionyz Pogany)

Leiterin / Leiter:
Familienname:Pogany
Vorname(n):Dionyz
Titel (vorangestellt):Ao.Univ.Prof. Dr.
Position:Dozent
Institution:
Institution:Technische Universität Wien
Organisationseinheit:Institut füt Festkörperelektronik
Post-Adresse:Floragasse 7
Postleitzahl:1040
Ort:Wien
e-Mail:dionyz.pogany(at)tuwien.ac.at
Homepage:http://fke.tuwien.ac.at/
Zuordnungen zu Forschungsgebieten:
Forschungsgebiet(e):
  • Festkörperphysik
  • Nanoelektronik
  • Optoelektronik
Zuordnungen gemäß der Österreichischen Systematik der Wissenschaftszweige:
Arbeitsgebiet(e):
  • Festkörperphysik (103009)
  • Nanotechnologie (210006)
  • Optik (103021)
  • Physikalische Elektronik (1214)
Angaben zur Datenerfassung:
Datenerfassungs-Stichtag:25.05.2011
Datenerfassungs-Zeitraum:von: 2005   bis einschließlich: 2009
Arbeitsgruppe zum Zeitpunkt der Datenerfassung:
wiss. Mitarbeiter/innen:
6 Personen
Dr. Sergey Bychikhin
Dr. Jan Kuzmik
Dipl. Ing. Clemens Ostermaier
Dipl. Ing. Michael Heer
Mag. Wasinee Mamanee
Mag. Gianmauro Pozzovivo
Prozent Drittmittel-finanziert:100
Wissenschaftliche Leistungen im oben angegebenen Zeitraum:
Anzahl der Publikationen:52
Fünf wichtigste Publikationen:
  1. D. Pogany, S. Bychikhin, M. Denison, P. Rodin, N. Jensen, G. Groos, M. Stecher, E. Gornik, Thermally-driven motion of current filaments in ESD protection devices, Solid. St. Electronics, 2005, vol.49, no.3, 2005, 421-429.
  2. S. Bychikhin, L.K.J. Vandamme, D. Pogany, G. Meneghesso, E. Zanoni, "Low frequency noise sources in as-prepared and aged GaN - based light emitting diodes" J. Appl. Phys, vol.97, 123714-1/-7, 2005.
  3. W. Mamanee, D. Johnsson, P. Rodin, S. Bychikhin, V. Dubec, M. Stecher, E. Gornik and D. Pogany, "Interaction of traveling current filaments and its relation to a non-trivial thermal breakdown scenario in avalanching bipolar transistor", J. Appl. Phys. 105, 084501-1-5 (2009)
  4. C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, M. Schmid, L. Tóth, B. Pecz, J.-F. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, and J. Kuzmik, "Metal-related Gate Sinking due to Interfacial Oxygen Layer in Ir/InAlN High Electron Mobility Transistors", Applied Phys. Lett., 96, 263515 (2010).
  5. D. Pogany, D. Johnsson, S. Bychikhin, K. Esmark, P. Rodin, M. Stecher, E. Gornik and H. Gossner, "Measuring Holding Voltage Related to Homogeneous Current Flow in Wide ESD Protection Structures Using Multi-Level-TLP", IEEE Trans. Electron. Dev., vol.58, no.2, pp. 411-418.
Fünf wichtigste Vorträge:
  1. D. Johnsson, W. Mamanee, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Gornik, M. Stecher, "Second breakdown in bipolar ESD protection devices during low current long duration stress and its relation to moving current-tubes", Proc. IRPS (International Reliability Physics Symposium) 2008, April 27-May 1, 2008, Phoenix, USA, p. 240-246
  2. D. Pogany, D. Johnsson, S. Bychikhin, K. Esmark, P. Rodin, E. Gornik, M. Stecher, H. Gossner, "Nonlinear dynamics approach in modeling of the on-state-spreading - related voltage and current transients in 90nm CMOS silicon controlled rectifiers, IEDM Technical Digest, 2009, Baltimore, (International Electron Device Meeting), USA, 7-9 Dec. 2009, p.509-512.
  3. E. Kohn, M. Alomari, A. Denisenko, M. Dipalo, D. Maier, F. Meddjoub, C. Pietzka, S. Delage, M.-A. di Forte-Poisson, E. Morvan, N. Sarazin, J.-C. Jacquet, C. Dua, J.-F. Carlin, N. Grandjean, M.A. Py, M. Gonschorek, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo, C. Ostermaeir, L. Toth,B. Pecz, J.-C. De Jaeger, C. Gaquiere, K. Cico, K. Fröhlich, A.I. Georgakilas, E. Iliopulos, G. Konstantinidis,C. Giesen, M. Heuken, B. Schineller, "InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond", IEDM Technical Digest, 2009, Baltimore, USA, 7-9 Dec. 2009, p.173-176.
  4. S. Bychikhin, L. K. J. Vandamme, J. Kuzmik, G. Meneghesso, S. Levada, E. Zanoni, D. Pogany, Accelerated aging of GaN light emitting diodes studied by 1/f and RTS noise, Proc. Int. Conf on noise in Phys. Salamanca, Spain 2005, Ed. T. Gonzales, J. Mateos, D. Pardo, pp.709-712.
Bewilligte Projekte im oben angegebenen Zeitraum:
Kompetitive Projekte:
  • FFG + industry partners:
    SIDRA (Safe IC robust design for robust applications)
    Laufzeit: 2005 - 2007; Mittel: 280 kEuro
  • FP6 EU:
    ULTRAGAN (InAlN/GaN heterostructure technology for ultra high power microwave transistors)
    Laufzeit: 2001 - 2005; Mittel: 263kEuro
  • FP7 EU:
    MORGAN (Materials for robust gallium nitride)
    Laufzeit: 2008 -; Mittel: 312 kEuro
  • FFG + industry partners:
    SPOT2 (deep submicron smart power technologies)
    Laufzeit: 2007 - 2010; Mittel: 350kEuro
Auftragsprojekte:
  • Zahlreiche bilaterale Projekte mit Infineon Technologies, ON semiconductors, ...
Bearbeitete Themenfelder:
Aktuelle Themenfelder:
  • Experimental study of current density patterns and dynamics in semiconductor devices under high current desities and temperatures
  • Defect and transport study in Si and GaN devices
  • Noise spectroscopy of nanoelectronics and optoelectronic devices
Perspektiven (nächste 5 Jahre):
  • Control of current density patterns in semiconductor devices
  • Transport and defect studies in nanostructure devices and sensors using noise spectroscopy
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