Österreichische Physikalische Gesellschaft
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Forschungsgruppe "Halbleiter- und Festkörperphysik, JKU Linz"
(Ao.Univ.Prof. Dr. Julian Stangl)

Leiterin / Leiter:
Familienname:Stangl
Vorname(n):Julian
Titel (vorangestellt):Ao.Univ.Prof. Dr.
Position:Universitätsdozent
Institution:
Institution:Johannes Kepler Universität Linz
Organisationseinheit:Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
Post-Adresse:Altenbergerstrasse 69
Postleitzahl:4040
Ort:Linz
e-Mail:julian.stangl(at)jku.at
Homepage:http://www.hlphys.jku.at/staff/stangl.html
Zuordnungen zu Forschungsgebieten:
Forschungsgebiet(e):
  • Festkörperphysik
  • Halbleiterphysik
  • Nanowissenschaften
Zuordnungen gemäß der Österreichischen Systematik der Wissenschaftszweige:
Arbeitsgebiet(e):
  • Festkörperphysik (103009)
  • Halbleiterphysik (103011)
  • Nanotechnologie (210006)
Angaben zur Datenerfassung:
Datenerfassungs-Stichtag:19.10.2012
Datenerfassungs-Zeitraum:von: 2005   bis einschließlich: 2012
Arbeitsgruppe zum Zeitpunkt der Datenerfassung:
wiss. Mitarbeiter/innen:
6 Personen
Tanja Etzelstorfer, Dipl.Ing.
Nina Hrauda, Dr.
Mario Keplinger, Dipl.Ing.
Dominik Kriegner, Dipl.Ing.
Raphael Grifone, Dipl.Phys. (financed by ESRF)
Vinvent Jacques, Dr. (half financed by ESRF)
Prozent Drittmittel-finanziert:100
Wissenschaftliche Leistungen im oben angegebenen Zeitraum:
H-Index der Leiterin / des Leiters:23
Anzahl der Publikationen:71
Fünf wichtigste Publikationen:
  1. C. Mocuta, J. Stangl, K. Mundboth, T.H. Metzger, G. Bauer, I. Vartanyants, M. Schmidbauer, T. Boeck, "Beyond the ensemble average: x-ray diffraction analysis of single SiGe islands", Phys. Rev. B 77, 245425 (2008).
  2. M. Keplinger, T. Mårtensson, J. Stangl, E. Wintersberger,, B. Mandl, D. Kriegner, V. Holý, G. Bauer, K. Deppert, L. Samuelson, "Structural investigations of core-shell nanowires using grazing incidence x-ray diffraction", Nano Letters 9, 1877-1882 (2009).
  3. J. Stangl, C. Mocuta, A. Diaz, T.H. Metzger, G. Bauer, "X-ray diffraction as a local probe tool", ChemPhysChem 10, 2923-2930 (2009).
  4. V. Chamard, J. Stangl, D. Carbone, A. Diaz, G. Chen, C. Alfonso, C. Mocuta, T.H. Metzger, Three-dimensional X-Ray Fourier Transform Holography: the Bragg case, Phys. Rev. Lett. 104, 165501 (2010).
  5. D. Kriegner, C. Panse, B. Mandl, K. A. Dick, M. Keplinger, J. M. Persson, P. Caroff, D. Ercolani, L. Sorba, F. Bechstedt, J. Stangl, G. Bauer, Unit Cell Structure of Crystal Polytypes in InAs and InSb Nanowires, Nano Letters 11, 1483-1489 (2011).
Preise:
  • 2006: Fritz Kohlrausch Preis der ÖPG
  • 2007: Erich Schmid Preis der ÖAW
Fünf wichtigste Vorträge:
  1. J. Stangl, B. Mandl, E. Wintersberger, R. T. Lechner, C. Mocuta, W. Seifert, G. Bauer, X-ray
    diffraction from semiconductor nanostructures, invited talk at the 9th International Conference on X-ray
    and Neutron Scattering (SXNS 9), Taipei, Taiwan, 16. -20. 07. 2006
  2. J Stangl, C Mocuta, K Mundboth, A Diaz, T H Metzger, G Bauer, A V Zozulya, O M Yefanov, I Vartanyants, X-ray diffarction from semiconductor nanostructures: beyond the ensemble average, invited talk at IUMRS-ICEM 2008 Sydney, Australia, 31.07.2008.
  3. J. Stangl, X-ray diffraction of single quantum dots with nano beams, invited talk at E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, 11 June 2009.
  4. J. Stangl, M. Keplinger, D. Kriegner, N. Hrauda, C. Mocuta, A. Diaz, V. Chamard, B. Mandl, D. Carbone, T.H. Metzger, G. Bauer, Investigation of semiconductor nanostructures by x-ray diffraction: beyond the ensemble average, invited talk at The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, 2 June 2010.
  5. J. Stangl, "X-Day Diffraction From Semiconductor Nanostructures", invited talk at the XX Congress of the International Union of Crystallography "IUCR 2005", Florenz/Italien, 29.08.2005
Bewilligte Projekte im oben angegebenen Zeitraum:
Kompetitive Projekte:
  • FWF P18125-N16:
    Untersuchung von Versetzungen in Halbleiterepischichten
    01.01.2006 - 31.12.2009; Project leader: J. Stangl
  • FWF F2507-N08:
    Next Generation X-ray Techniques (part of the SFB Infrared Optical Nanostructures IRON)
    01.03.2005 - 29.02.2012; Project leader: J. Stangl, G. Bauer
  • EC 012150:
    Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si Integrated Circuits (D-DOT FET)
    01.10.2005 - 30.09.2008; Project leaders: G. Bauer, J. Stangl
  • EC 214814:
    Architectures, Materials and One-dimensional Nanowires for Photovoltaics - Research and Applications (AMON-RA)
    01.10.2008 - 30.09.2012; Project leaders: G. Bauer, J. Stangl
  • FWF P23706-N19
    Investigation of nanowires by x-ray diffraction methods
    01.03.2012-28.02.2015
    Project Leader: J. Stangl
Bearbeitete Themenfelder:
Aktuelle Themenfelder:
  • Structural analysis of semiconductor nanostructures using x-ray scattering methods
  • Main topics: SiGe Nanoislands, III-V Nanowires, use of focused x-ray beams
Perspektiven (nächste 5 Jahre):
  • Nanocrystals and Nanowires, in-situ/in-vivo experiments
  • Use of coherent scattering and direct reconstruction methods
Ausbildung und Vernetzung im oben angegebenen Zeitraum:
Dissertationen:
6 Dissertationen
  1. N. Hrauda, X-ray di raction studies of semiconductor nanostructures (2012)
  2. B. Mandl, MOCVD growth of nanowires (2011)
  3. E. Wintersberger, X-ray scattering from dislocations in semiconductor epilayers (2010)
  4. A. Rehman Khan, Characterization of uniaxially strained SiGe heterostructures using x-ray diffraction (2008)
  5. R. K. Mundboth, X-ray micro-diffraction of single SiGe/Si(001) islands: beyond the ensemble average (2008)
  6. J. Novak, Structural investigations of nano-islands using x-ray diffraction techniques (2006)
Diplom- und Masterarbeiten:
5 Arbeiten
  1. Tanja Etzelstorfer, Structural Investigations of Nanomaterials for Renewable Energy Applications (2011)
  2. Dominik Kriegner, X-ray diffraction from III-V semiconductor nanowires (2009)
  3. Mario Keplinger, Structural investigation of core-shell nanowires (2008)
  4. T. Suzuki, Quantum dots simulation with finite element method (2007)
  5. E. Wintersberger, Röntgenbeugung und -reflexion an Si/SiGe/GaAs Hetero- und Nanostrukturen (2005)
Internationale Vernetzung:
  • Vaclav Holy (incoming), Charles Univerity Prague, Prague, Czech Republic
  • Domink Kriegner (outgoing), Center for Nanoscopy, TU Denmark, Copenhagen, Denmark
  • Stanislav Danis (incoming), Charles University Prague, Prague, Czech Republic
  • Mojmir Meduna (incoming), Masaryk University Brno, Brno, Czech Republic
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